70多年來，電子工業(yè)急速發(fā)展，光電產(chǎn)品對襯底材料需求量的日益增加，襯底時需要很好的平整度，化學機械拋光技術（CMP）是機械磨削和化學腐蝕的組合技術，用于在各種材料上實現(xiàn)原子級超光滑表面，也是公認唯一能實現(xiàn)全局平面化的技術。
該工藝已被廣泛運用于硅片的精拋和粗拋，還有半導體器件、多晶化模組、平面顯示器、光導攝像管、微電機系統(tǒng)等加工過程。特別是在大規(guī)模集成電路中，用于多層化薄膜的平坦化加工等。
拋光液在CMP中扮演重要的角色，而最廣泛使用的就是硅溶膠了，亞微米或納米級的SiO2磨粒和化學溶液組成的拋光液在工件與拋光墊之間流動，并產(chǎn)生化學反應，工件表面形成的化學反應物由SiO2磨粒的機械作用去除，即在化學成膜和機械去膜的交替過程中實現(xiàn)超精密表面加工。
